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北方华创宣布3D DRAM刻蚀重大突破有望帮助长鑫

送交者: new3T 于 2026-09-15 02:02:15

回答: 中国警告美帝，如继续卖台武器习将取消9/24访美由于 2026-09-14 05:40:40

北方华创宣布3D DRAM刻蚀重大突破
没有EUV也能造先进存储
日期： 2026-09-079月5日消息，国内半导体设备龙头北方华创近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破。该公司开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望帮助长鑫存储绕过EUV光刻机封锁，推进3D DRAM自主量产。

3D DRAM被视为DRAM技术演进的下一阶段。其核心理念是将晶体管从传统的二维平面微缩转向三维垂直堆叠，通过层层堆叠晶体管来提高存储单元密度。

http://www.chinaaet.cn/article/3000180227

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蔡司刚说完“15年造不出EUV”，中企就宣布新技术，让长鑫存储成功破冰
科技的十字路口
2026-09-09
德国蔡司集团半导体事业部负责人日前说了一句话，在国内半导体圈炸开了锅。他说中国15年内造不出EUV光刻机。

https://baijiahao.baidu.com/s?id=1875836258259664095

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