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中国极紫外（EUV）光刻光源技术获得重大突破

送交者: testtesttest 于 2025-05-01 13:29:41

回答: 战争还是和平？中美关系正处在历史的十字路口由于 2025-05-01 13:21:00

芯片极紫外（EUV）光刻光源技术获得重大突破，使用固体光源突破被美国“卡脖子”的局面。

4月29日消息，据环球时报旗下账号“哇喔·环球新科技”、观察者网等报道，中国科学院上海光学精密机械研究所（简称中国科学院上海光机所）林楠研究员带领团队，绕过二氧化碳激光，使用固体激光器技术成功开发出LPP-EUV光源，已经达到国际领先水平，对中国自主开展EUV光刻有重要意义。

上述报道称，该技术有望突破中国自主生产芯片的阻碍。

据悉，EUV光刻机中最核心的分系统是激光等离子体（LPP）EUV光源，主要关注能量转换效率（CE）。二氧化碳激光器激发的Sn等离子体 CE大于5%，是ASML光刻机的驱动光源，但此前这类光源由美国Cymer制造，在世界范围内处于垄断地位。

https://it.sohu.com/a/890606244_116132

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林楠回国前曾任阿斯麦光源技术负责人 testtesttest (159字节) 05/01 13 43:17 (10368652)

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